片盒清洗機大家都熟悉，但是對于片盒清洗的細節(jié)大家有些不太明白。為此，不少人好奇的是片盒清洗過程中要用到雙氧水嗎？今天就來主要解答大家好奇的這個問題，看看到底是否需要，需要的理據又是什么呢？我們將自己的經驗分享給大家，希望能給大家?guī)韼椭?/p>

在半導體片盒（Wafer Cassette）清洗過程中，雙氧水（H?O?）是常用試劑，尤其在去除有機物、金屬污染或配合酸性/堿性溶液時。以下是雙氧水在片盒清洗中的具體應用和技術細節(jié)：

1. 雙氧水的作用

（1）氧化有機物

場景：去除光刻膠殘留、油脂、蠟類有機物。原理：雙氧水在酸性或堿性環(huán)境下（如SC-1、SC-2溶液）作為強氧化劑，將有機物分解為CO?和H?O。

典型配方：

SC-1溶液（堿性清洗）：NH?OH:H?O?:DI水=1:1-2:5，溫度70-80℃，用于去除有機物和顆粒。

SC-2溶液（酸性清洗）：HCl:H?O?:DI水=1:1:5，溫度50-60℃，用于去除金屬離子。

（2）增強清潔效果

與酸/堿協同：

在硫酸/雙氧水（SPM，SC-3）體系中，雙氧水強化硫酸的氧化能力，去除頑固有機物（如碳化光刻膠）。

在DHF（稀釋氫氟酸）中加入雙氧水，可抑制氟化物對金屬的腐蝕，同時氧化雜質。

（3）殺菌與消毒

作用：雙氧水分解后生成氧氣和水，無殘留污染，可有效殺滅片盒表面的細菌或微粒有機物。

2. 雙氧水清洗的工藝步驟

（1）預清洗（去除顆粒）

方法：兆聲波（Megasonic）+ DI水沖洗，初步去除片盒表面的顆粒污染物。

目的：減少后續(xù)化學清洗的負擔，避免顆粒二次沉積。

（2）化學清洗（核心步驟）

SC-1或SC-2溶液浸泡：

將片盒浸入含雙氧水的溶液中，利用超聲或兆聲波增強化學反應。

時間：5-15分鐘，溫度控制在60-80℃。

監(jiān)測：實時檢測pH、電導率，確保清洗液活性。

（3）漂洗與干燥

DI水沖洗：去除化學殘留，需多級水槽（如4-8級）逐級稀釋污染物。

雙氧水殘留處理：

通過加熱（>80℃）或UV光照催化分解殘留雙氧水，避免腐蝕設備。

干燥：

采用IPA（異丙醇）置換干燥或氮氣吹掃，確保無水漬殘留。

3. 技術參數與注意事項

4. 替代方案與局限性

替代氧化劑：

臭氧（O?）：用于輕度有機物污染，但設備成本較高。

過硫酸鹽（如K?S?O?）：替代雙氧水，適用于特定金屬敏感場景。

局限性：

雙氧水易分解，需現配現用，儲存時需避光并控制溫度（<30℃）。

高濃度雙氧水可能腐蝕鋁制片盒，需選擇兼容材料（如316L不銹鋼或PFA涂層）。

雙氧水在片盒清洗中主要用于氧化有機物、去除金屬污染，并通過與酸/堿協同提升清洗效率。其應用需嚴格控制濃度、溫度和接觸時間，避免材料腐蝕，同時結合兆聲波、IPA干燥等技術確保清洗效果和片盒兼容性。