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一、設備概述
SPM光罩板槽式清洗機是半導體制造中用于清潔光刻掩膜版(光罩)的專用設備,核心工藝基于硫酸雙氧水(SPM, Sulfuric Acid/Hydrogen Peroxide)濕法清洗技術。該設備通過多槽串聯設計,結合化學腐蝕、超聲波輔助、去離子水(DIW)沖洗及干燥等模塊,高效去除光罩表面的金屬污染(如Cu、Fe)、光刻膠殘留、氧化物及納米級顆粒(>0.1μm),確保光罩的圖形精度和光刻良率。其廣泛應用于制程(如5nm以下芯片)的光罩維護,適配12英寸及以上大尺寸晶圓對應的掩膜版清洗需求。
二、核心功能與技術特點
SPM強氧化去污
硫酸雙氧水配方:利用H?SO?與H?O?的強氧化性,在高溫(80~120℃)下分解有機污染物(如光刻膠)并氧化金屬雜質,形成易溶于水的硫酸鹽13。
兆聲波輔助:高頻(1MHz以上)兆聲波產生微米級空化效應,增強藥液滲透能力,避免光罩復雜圖形(如線條、孔洞)的清洗死角14。
多槽模塊化設計
典型流程:SPM清洗槽→SC-1堿性槽(NH?OH/H?O?,去有機物)→DIW沖洗槽→真空干燥槽,支持多槽溫度、時間獨立控制13。
化學兼容性:槽體采用耐腐蝕材料(如PFA、PTFE),適應強酸/堿環境,防止交叉污染35。
高精度潔凈度控制
顆粒過濾:集成0.1μm過濾器,確保沖洗水潔凈度達到半導體級標準(如<10顆/mL≥0.2μm顆粒)13。
干燥防污染:可選配低溫真空干燥或異丙醇(IPA)脫水,避免水漬殘留導致光罩表面缺陷14。
自動化與安全性
PLC程序控制:支持參數預設、一鍵啟動、數據記錄(如清洗時間、溫度、藥液濃度),滿足ISO追溯要求35。
安全防護:酸堿泄漏監測、防腐蝕密封門、排風系統及權限分級管理,確保操作安全35。
三、關鍵技術參數
參數 | 說明 |
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適用光罩尺寸 | 覆蓋5英寸至12英寸及以上(適配制程) |
清洗工藝 | SPM(硫酸雙氧水)、SC-1(堿性清洗)、DIW沖洗、真空干燥 |
溫度范圍 | 常溫~120℃(SPM槽高溫可調) |
顆粒過濾精度 | 0.1μm(DIW沖洗槽標配) |
產能 | 單次處理時間10~30分鐘,支持24小時連續生產(工業級設備) |
兼容污染類型 | 金屬污染(Cu、Fe)、光刻膠殘留、氧化物、顆粒吸附 |
四、應用場景與優勢
半導體制造
光罩維護:清洗重復使用的掩膜版,去除光刻膠、蝕刻殘留及環境污染物,延長光罩壽命。
制程適配:滿足5nm以下節點對光罩表面粗糙度(<0.1nm)和顆粒潔凈度的嚴苛要求。
光刻工藝優化
圖形保真度提升:通過清潔光罩圖形邊緣的污染物,減少光刻曝光中的圖形畸變風險。
良率改善:降低因光罩污染導致的芯片缺陷率(如顆粒引起的短路或開路)。
成本效益
藥液回收系統:支持SPM廢液再生利用(如蒸餾回收硫酸),降低危廢處理成本。
長壽命設計:耐腐蝕材料與模塊化結構延長設備使用壽命,減少維護停機時間。