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目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>沉積系統>>激光沉積系統>> 雙腔體脈沖激光沉積系統

雙腔體脈沖激光沉積系統
  • 雙腔體脈沖激光沉積系統
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更新時間:2024-07-10 14:27:23瀏覽次數:843評價

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極限真空 手動角閥/漏閥控壓 極限真空 5 x 10-9 mbar
雙腔體脈沖激光沉積系統(Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System)是一種先進的薄膜制備技術,它結合了脈沖激光沉積(PLD)技術和雙腔體設計的優勢。這種系統通常用于在實驗室環境中生長高質量的薄膜材料,廣泛應用于物理、化學、材料科學和工程等領域。

雙腔體脈沖激光沉積系統Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System)是一種先進的薄膜制備技術,它結合了脈沖激光沉積(PLD)技術和雙腔體設計的優勢。這種系統通常用于在實驗室環境中生長高質量的薄膜材料,廣泛應用于物理、化學、材料科學和工程等領域。

脈沖激光沉積(PLD)是一種物理氣相沉積技術,它利用高能量的脈沖激光束轟擊靶材表面,使靶材物質迅速蒸發、電離并形成等離子體羽輝。這些高能量的離子和原子隨后沉積在基片表面,經過成核和生長過程形成薄膜。PLD具有生長速度快、薄膜成分易于控制、能夠保持靶材的原始結構等優點。

雙腔體設計則進一步提高了PLD系統的靈活性和功能性。該系統通常包含兩個獨立的沉積腔室,每個腔室都可以獨立地進行薄膜生長過程。這種設計允許研究人員在同一臺設備上同時制備不同種類的薄膜,或者在不同的生長條件下進行對比實驗。此外,雙腔體設計還可以減少實驗過程中的污染和交叉污染風險,提高實驗結果的可靠性。

雙腔體脈沖激光沉積系統通常配備有先進的光學系統、激光系統、真空系統和控制系統等組件。光學系統用于精確控制激光束的聚焦和定位,確保激光能夠準確地轟擊靶材表面。激光系統則提供高能量的脈沖激光束,激發靶材物質形成等離子體羽輝。真空系統則用于維持腔室內的高真空環境,防止外界氣體對薄膜生長的干擾。控制系統則負責整個系統的自動化運行和參數調整,確保實驗過程的穩定性和可重復性。

總之,雙腔 體脈沖激光沉積系統是一種高效、靈活且可靠的薄膜制備技術,它在材料科學研究和新材料開發中發揮著重要作用。通過精確控制實驗條件和參數,研究人員可以制備出具有優異性能的新型薄膜材料,為推動科技進步和創新做出重要貢獻。


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