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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積
  • FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積
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更新時(shí)間:2025-04-11 15:11:43

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積:隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,其制造設(shè)備也變得更大,需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,其製造設(shè)備也變得更大,需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,提供非晶矽(a-Si),氧化矽(SiOx),氮氧化矽(SiON),氮化矽(SiNx)和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

應(yīng)用領(lǐng)域
  • 非晶矽前驅(qū)物(a-Si)。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,矽烷基(SiOx)。

  • 氧化矽,TEOS (SiOx)。


配置和優(yōu)點(diǎn)選件
  • 客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3%。

  • 每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線。

  • 遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔。

  • 穩(wěn)定的溫度控制,可將基板加熱到380°C。

  • Cassette傳送站。

  • TEOS沉積製程。

  • OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。




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