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低真空化學氣相沉積設備（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統CVD製程相比，LPCVD的優勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與監控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。
低真空化學氣相沉積設備參數
| 應用領域 | 腔體 |
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| 配置和優點 | 選件 |
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