專注于非接觸式半導(dǎo)體計(jì)量分析技術(shù)的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn) ，攻克被國(guó)外卡脖子技術(shù)。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、科研以及平板材料測(cè)試領(lǐng)域。借助公司*計(jì)量分析測(cè)試技術(shù)，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測(cè)試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，提供一整套完整測(cè)試和解決方案。

晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測(cè)試儀，少子壽命測(cè)試儀，

一、

晶圓電阻率測(cè)試儀

硅片方阻測(cè)試儀

渦流法低電阻率分析儀

晶錠電阻率分析儀

樣品尺寸：2"-8"或者16mm×16mm的方形樣品；

遷移率測(cè)量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；

方塊電阻測(cè)量范圍：100-3000（ohm/sq)；

載流子面密度測(cè)量范圍：1E11-1E14（cm-2）；

電磁鐵磁場(chǎng)強(qiáng)度：1.0T

探頭線圈直徑：15mm