一、產(chǎn)品概述

半導(dǎo)體清洗設(shè)備是芯片制造過程中關(guān)鍵工具，用于去除晶圓表面的顆粒、有機物、金屬污染及氧化物殘留，確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、蝕刻）的良率與性能。根據(jù)工藝需求，清洗設(shè)備分為濕法清洗和干法清洗兩大類，覆蓋從傳統(tǒng)制程到節(jié)點（如3nm以下）的全場景應(yīng)用。

二、核心技術(shù)分類

濕法清洗設(shè)備

SC-1液（NH?OH/H?O?/H?O）去除有機物和顆粒；

DHF（稀釋氫氟酸）腐蝕氧化物殘留。
結(jié)合兆聲波（Saw, 1-10MHz）或噴淋技術(shù)，增強清洗均勻性與效率。

化學(xué)濕法清洗：
通過酸性或堿性溶液（如SC-1、SC-2、DHF）溶解污染物。例如：

兆聲波清洗（Megasonic Cleaning）：
利用高頻聲波產(chǎn)生空化效應(yīng)，剝離微小顆粒（＜0.1μm），適用于光刻后清潔。

干法清洗設(shè)備

等離子清洗：
通過O?、CF?等氣體產(chǎn)生等離子體，去除光刻膠殘留或有機物，無液體殘留風(fēng)險。

激光清洗：
采用紫外或皮秒激光，精準去除局部污染物（如EUV光罩清潔），避免熱損傷。

混合工藝設(shè)備：
整合濕法與干法步驟，例如“預(yù)清洗（兆聲波）+主清洗（化學(xué)液）+干燥（真空熱風(fēng)）”全自動線。

三、關(guān)鍵性能指標

潔凈度控制：

顆粒去除能力：＜10顆/cm2（≥0.1μm顆粒）；

金屬污染控制：Fe、Cu等雜質(zhì)＜1ppb（原子力級）。

工藝兼容性：

支持低k材料（如SiCO）、高深寬比結(jié)構(gòu)（3D NAND）清洗；

溫度均勻性：±0.5°C（避免熱應(yīng)力損傷）。

自動化與智能化：

集成機器人上下料、CIP（Clean In Place）系統(tǒng)；

實時顆粒監(jiān)測（液態(tài)計數(shù)器）、AI缺陷分類與反饋。

四、行業(yè)應(yīng)用場景

前道工藝（晶圓制造）：

光刻后清洗：去除光刻膠殘留（等離子+濕法）；

蝕刻后清洗：去除蝕刻副產(chǎn)物（如SC-2液）。

后道工藝（封裝測試）：

焊盤清潔：激光或等離子去除氧化層，提升鍵合良率。

特殊需求場景：

第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）：高溫耐蝕清洗槽設(shè)計；

封裝（TSV/Bumping）：深孔結(jié)構(gòu)清洗。

五、挑戰(zhàn)與未來趨勢

技術(shù)瓶頸：

亞微米顆粒（＜0.05μm）去除難度；

低k材料吸濕性導(dǎo)致的干燥應(yīng)力問題。

創(chuàng)新方向：

環(huán)保工藝：超臨界CO?替代氟利昂，減少碳排放；

智能監(jiān)控：物聯(lián)網(wǎng)（IoT）集成，實現(xiàn)工藝參數(shù)動態(tài)優(yōu)化；

能量束技術(shù)：電子束、離子束清洗用于納米級污染控制。

半導(dǎo)體清洗設(shè)備是推動芯片制程進步的隱形支柱，其技術(shù)迭代直接關(guān)聯(lián)產(chǎn)線良率與成本效益。隨著制程節(jié)點邁向埃米級（?ngstrom），清洗設(shè)備需兼顧超高潔凈度、低損傷、綠色環(huán)保三大核心需求，同時融入自動化與智能化技術(shù)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破物理極限。