一、產品概述

全自動Mask掩膜板清洗機是半導體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機物沉積及蝕刻副產物。其技術覆蓋濕法化學清洗、兆聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥，確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設備適用于EUV（極紫外光刻）、ArF（氟化氬光刻）及傳統光刻工藝，支持6寸至30寸掩膜板的全自動化清洗需求。

二、核心技術與工藝

濕法化學清洗

試劑組合：采用SC-1（NH?OH/H?O?去有機物）、SC-2（HCl/H?O?去金屬）、DHF（稀釋氫氟酸去氧化層）等配方，結合噴淋與浸泡技術，溶解污染物。

兆聲波輔助：MHz級高頻聲波產生空化效應，剝離＜0.1μm的微小顆粒，避免機械接觸損傷圖案。

等離子體處理

干法去膠：O?/CF?等離子體灰化光刻膠殘留，無液體殘留風險，適用于復雜圖形區域。

表面活化：通過等離子體增強掩膜板表面潤濕性，提升后續工藝附著力。

超臨界CO?干燥

替代傳統IPA（異丙醇）干燥，利用超臨界CO?的低表面張力實現無水漬、無殘留干燥，避免圖案變形或腐蝕。

智能監控與反饋

顆粒檢測：集成液態顆粒計數器（≥0.1μm靈敏度）與激光散射儀，實時監測清洗液潔凈度。

AI參數優化：基于機器學習分析污染類型（金屬/顆粒/有機物），動態調整清洗時間、溫度及化學濃度。

三、設備結構與性能優勢

模塊化設計

預處理模塊：去離子水預沖洗+兆聲波粗洗，去除大顆粒。

主清洗模塊：多槽聯動（化學槽+噴淋槽+兆聲波槽），支持多步工藝組合。

干燥模塊：超臨界CO?干燥腔+真空熱風，控制表面應力＜5MPa。

核心性能指標

潔凈度：顆粒殘留＜5顆/cm2（≥0.1μm），金屬污染＜0.1ppb（Fe/Cu）。

兼容性：適應低k材料、高深寬比結構（如3D NAND掩膜）。

產能：單次清洗周期＜30分鐘（視工藝復雜度），支持24小時連續運行。

自動化與安全性

無人化操作：機械臂自動上下料，RFID識別掩膜板型號與工藝參數。

廢液處理：閉環回收系統，中和后排放，符合環保法規（如RoHS、REACH）。

四、應用場景與行業價值

核心場景

EUV掩膜清潔：去除＜10nm顆粒，保障極紫外光刻的圖案保真度。

ArF掩膜維護：清除光刻膠殘留，提升28nm以下制程的良率。

封裝：TSV（硅通孔）掩膜清洗，支持3D封裝高精度對位。

行業痛點解決

缺陷控制：減少光刻膠殘渣導致的短路或蝕刻偏差。

成本優化：自動化降低人工干預風險，延長掩膜板使用壽命（從500次提升至1000次）。

技術迭代：兼容HAMR（熱輔助磁記錄）、GAA（環繞式柵極）等新興制程需求。